2SK3576-T1B-AT datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  2SK3576-T1B-AT
• Производитель
  Renesas Electronics
• Описание
  Renesas Electronics 2SK3576-T1B-AT Current - Continuous Drain (id) @ 25?° C: 4A Drain To Source Voltage (vdss): 20V Fet Feature: Logic Level Gate Fet Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Gate Charge (qg) @ Vgs: 3.3nC @ 4V Input Capacitance (ciss) @ Vds: 250pF @ 10V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: * Power - Max: 200mW Rds On (max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 4.5V Series: - Vgs(th) (max) @ Id: 1.5V @ 1mA
• Количество страниц
  10 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  164,40 KB

2SK3576-T1B-AT datasheet скачать

2SK3576-T1B-AT datasheet